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LDTC114EET1G是一种新的数字晶体管,被设计来取代单一设备和它的外部电阻偏置网络。

LDTC114EET1G是一种新的数字晶体管,被设计来取代单一设备和它的外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个单晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一种串联基电阻和基发射电阻。BRT通过将这些组件集成到单个设备中,降低电路复杂性。使用BRT可以降低系统成本和板空间。该设备安装在SC-89封装中,是为低功耗表面安装应用而设计的。


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主要特点

·内置电阻:R1=R2=10KOhms

·最大工作温度:150

·集电极连续电流:100mA

·Pd-功率耗散: 200 mW

·简化了电路设计,减少组件数量

·采用SC-89封装,表面贴装,可进行波焊或回流焊焊接。

·改进的鸥翼引线吸收焊接过程中的热应力,避免损坏模具

·符合RoHS要求,通过AEC-Q101认证

 

产品应用

逆变器、变频器、驱动电路及低频放大器


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描述
可供货数量
操作
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
250

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